RW1A030APT2CR datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  RW1A030APT2CR
• Производитель
  Rohm
• Описание
  Rohm RW1A030APT2CR Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 12 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 8 V Continuous Drain Current: 3 A Rds On: 30 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: WEMT6 Brand: ROHM Semiconductor Fall Time: 75 ns Forward Transconductance - Min: 3.8 S Gate Charge Qg: 22 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 0.7 W Rise Time: 30 ns Factory Pack Quantity: 8000 Typical Turn-Off Delay Time: 240 ns
• Количество страниц
  7 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet RW1A030APT2CR.pdf
Файл формата Pdf 468,38 KB